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不锈钢氧化铜薄膜的制备与掺杂研究

发布者:不锈钢纳米铜|不锈钢氧化铜|恒佩不锈钢   发布时间:2018-11-3 11:19:30

    不锈钢氧化铜(CuO)是一种重要的本征p型半导体材料,光学带隙为1.2-1.9 eV,储量丰富,制备成本低,无du,其p-n结太阳能电池理论转换效率可以达到31%,是一种应用潜力很大的光伏材料。本征CuO薄膜的电学性能较差(低载流子浓度和高电阻率),可通过优化制备工艺条件、退火和掺杂等手段来改善其光、电性能。本论文采用脉冲激光沉积法在石英衬底上分别制备CuO和Li掺杂的CuO薄膜。研究了薄膜的结构、光学及电学性能。

不锈钢氧化铜

    主要研究内容及结果如下:研究了衬底温度对CuO薄膜结构及性能影响。在不同衬底温度(25-700℃)下得到的均为CuO薄膜。当衬底温度为300℃时,CuO薄膜具有较好的结晶质量,载流子浓度为5.28×10~(16)cm~(-3),电阻率为2.33×10~2 Ω·cm,并且在衬底温度高于500℃时所制备的CuO薄膜具有n型导电性。研究了Li掺杂对CuO薄膜结构及性能的影响。Li掺杂浓度从1wt%增加到2wt%时CuO薄膜的结晶性变 
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